I. - Termes et définitions

bloc de propriété intellectuelle

Abréviation : BPI.

Forme abrégée : bloc de PI.

Domaine : Électronique.

Définition : Ensemble électronique dont l'utilisation pour la conception de circuits intégrés est protégée par les règles de la propriété intellectuelle.

Note : Un bloc de propriété intellectuelle peut notamment être décrit sous une forme logique, à l'aide d'un schéma électrique ou de manière topologique.

Voir aussi : topologie.

Équivalent étranger : intellectual property block, IP block, IP core.

  

cellule binaire

Domaine : Électronique.

Définition : Cellule de mémoire qui ne peut contenir qu'un seul élément binaire.

Voir aussi : cellule de mémoire, élément binaire.

Équivalent étranger : binary cell, bit cell, single-level cell (SLC).

  

cellule de mémoire

Domaine : Électronique.

Définition : Le plus petit emplacement d'une mémoire numérique dans lequel un élément de données peut être introduit, conservé ou duquel il peut être extrait.

Note : Une cellule de mémoire peut contenir un ou plusieurs éléments binaires.

Voir aussi : cellule binaire, cellule multiniveau, élément binaire.

Équivalent étranger : memory cell.

  

cellule multiniveau

Domaine : Électronique.

Définition : Cellule de mémoire qui peut contenir plusieurs éléments binaires.

Voir aussi : cellule de mémoire, élément binaire.

Équivalent étranger : multi-level cell (MLC), multilevel cell (MLC).

  

dispositif à couplage de charge

Abréviation : DCC.

Domaine : Électronique.

Définition : Dispositif à transfert de charges qui est constitué d'un ensemble de cellules élémentaires, associant chacune un élément générateur d'une charge électrique à un élément d'accumulation de cette dernière, et qui transfère ces charges de proche en proche dans une couche semiconductrice, à partir de variations cycliques de potentiel électrique.

Note : L'application la plus courante du dispositif à couplage de charge est le capteur d'images où les charges électriques sont produites par effet photoélectrique.

Voir aussi : dispositif à transfert de charges.

Équivalent étranger : charge-coupled device (CCD).

  

dispositif à transfert de charges

Abréviation : DTC.

Domaine : Électronique.

Définition : Dispositif électronique à semiconducteurs dont le fonctionnement repose sur le déplacement de paquets de charges électriques.

Note :

1. Le déplacement des paquets de charges électriques est obtenu grâce à des variations de potentiel électrique.

2. Le dispositif à couplage de charge, le dispositif en chapelet et le photodétecteur à report et intégration sont des exemples de dispositifs à transfert de charges.

Voir aussi : dispositif à couplage de charge, dispositif en chapelet, photodétecteur à report et intégration.

Équivalent étranger : charge-transfer device (CTD).

 

dispositif en chapelet

Domaine : Électronique.

Définition : Dispositif à transfert de charges où le déplacement des paquets de charges électriques s'effectue par l'intermédiaire de dispositifs de commutation insérés entre les éléments d'accumulation des charges.

Voir aussi : dispositif à transfert de charges.

Équivalent étranger : bucket-brigade device (BBD).

  

disque dur hybride

Abréviation : DDH.

Domaine : Électronique.

Définition : Dispositif de stockage combinant un disque dur et des mémoires flash qui, utilisées en cache, permettent un accès rapide à ce disque dur.

Voir aussi : cache, mémoire flash.

Équivalent étranger : hybrid hard drive (HHD).

  

disque statique à semiconducteurs

Abréviation : DSS.

Forme abrégée : disque statique.

Domaine : Électronique.

Définition : Composant de stockage de données qui est constitué de mémoires non volatiles à semiconducteurs, généralement des mémoires flash, et d'une électronique de commande, et qui remplit la même fonction qu'un disque dur.

Note :

1. Ce disque est dit « statique » car il ne comporte aucune pièce mécanique mobile, à la différence du disque dur.

2. On rencontre aussi les expressions « disque électronique » et « disque dur électronique ».

Voir aussi : mémoire flash, mémoire non volatile.

Équivalent étranger : solid state disk (SSD), solid state drive (SSD).

  

mémoire à cellules multiniveaux

Abréviation : MCM.

Domaine : Électronique.

Définition : Mémoire dont les cellules peuvent contenir plusieurs éléments binaires.

Note : Une mémoire à cellules multiniveaux possède une densité de stockage supérieure à celle d'une mémoire à cellules binaires, de technologie similaire.

Voir aussi : cellule binaire, cellule multiniveau.

Équivalent étranger : multi-level cell memory (MCM), multilevel cell memory (MCM).

 

mémoire flash

Domaine : Électronique.

Définition : Mémoire non volatile à semiconducteurs dont le contenu est modifiable par blocs de cellules de mémoire, ce qui augmente la vitesse d'écriture.

Note :

1. La mémoire flash ne supporte généralement qu'un nombre limité d'écritures.

2. La mémoire flash peut servir de mémoire morte ou de mémoire vive.

Voir aussi : cellule de mémoire, mémoire morte, mémoire non volatile, mémoire vive, répartition de l'usure.

Équivalent étranger : flash memory.

  

mémoire vive résistive

Forme abrégée : mémoire résistive.

Domaine : Électronique.

Définition : Mémoire vive non volatile dans laquelle les états binaires correspondent à deux valeurs de conductance électrique établies par une tension électrique ou un courant.

Voir aussi : mémoire non volatile, mémoire vive magnétique.

Équivalent étranger : resistive RAM, resistive random access memory (ReRAM, RRAM).

  

mémoire vive statique

Forme abrégée : mémoire statique.

Domaine : Électronique.

Définition : Mémoire vive volatile à semiconducteurs qui ne nécessite pas de circuit de régénération de son contenu.

Voir aussi : mémoire vive dynamique, mémoire volatile.

Équivalent étranger : static RAM, static random access memory (SRAM).

  

microsystème optoélectromécanique

Domaine : Électronique.

Synonyme : moems, n.m. (langage professionnel).

Définition : Système intégrant sur une puce des dispositifs mécaniques, électroniques et optiques, et qui remplit une fonction déterminée.

Voir aussi : microsystème électromécanique.

Équivalent étranger : micro-opto-electromechanical system (MOEMS).

  

répartition de l'usure

Domaine : Électronique.

Définition : Technique qui consiste à répartir les opérations d'écriture sur tout l'espace de stockage d'une mémoire flash afin de solliciter moins souvent les mêmes cellules et d'augmenter la durée de vie de cette mémoire.

Voir aussi : mémoire flash.

Équivalent étranger : wear leveling (EU), wear levelling (GB).

II. - Table d'équivalence

A - Termes étrangers

Terme étranger (1)	Domaine/sous-domaine	Équivalent français (2)
binary cell, bit cell, single-level cell (SLC).	Électronique.	cellule binaire.
bucket-brigade device (BBD).	Électronique.	dispositif en chapelet.
charge-coupled device (CCD).	Électronique.	dispositif à couplage de charge (DCC).
charge-transfer device (CTD).	Électronique.	dispositif à transfert de charges (DTC).
flash memory.	Électronique.	mémoire flash.
hybrid hard drive (HHD).	Électronique.	disque dur hybride (DDH).
intellectual property block, IP block, IP core.	Électronique.	bloc de propriété intellectuelle (BPI), bloc de PI.
memory cell.	Électronique.	cellule de mémoire.
micro-opto-electromechanical system (MOEMS).	Électronique.	microsystème optoélectromécanique, moems, n.m. (langage professionnel).
multi-level cell (MLC), multilevel cell (MLC).	Électronique.	cellule multiniveau.
multi-level cell memory (MCM), multilevel cell memory (MCM).	Électronique.	mémoire à cellules multiniveaux (MCM).
resistive RAM, resistive random access memory (ReRAM, RRAM).	Électronique.	mémoire vive résistive, mémoire résistive.
single-level cell (SLC), binary cell, bit cell.	Électronique.	cellule binaire.
solid state disk (SSD), solid state drive (SSD).	Électronique.	disque statique à semiconducteurs (DSS), disque statique.
static RAM, static random access memory (SRAM).	Électronique.	mémoire vive statique, mémoire statique.
wear leveling (EU), wear levelling (GB).	Électronique.	répartition de l'usure.

(1) Il s'agit de termes anglais, sauf mention contraire.

(2) Les termes en caractères gras se trouvent dans la partie I (Termes et définitions).

 

B - Termes français

Terme français (1)	Domaine/sous-domaine	Équivalent étranger (2)
bloc de propriété intellectuelle (BPI), bloc de PI.	Électronique.	intellectual property block, IP block, IP core.
cellule binaire.	Électronique.	binary cell, bit cell, single-level cell (SLC).
cellule de mémoire.	Électronique.	memory cell.
cellule multiniveau.	Électronique.	multi-level cell (MLC), multilevel cell (MLC).
dispositif à couplage de charge (DCC).	Électronique.	charge-coupled device (CCD).
dispositif à transfert de charges (DTC).	Électronique.	charge-transfer device (CTD).
dispositif en chapelet.	Électronique.	bucket-brigade device (BBD).
disque dur hybride (DDH).	Électronique.	hybrid hard drive (HHD).
disque statique à semiconducteurs (DSS), disque statique.	Électronique.	solid state disk (SSD), solid state drive (SSD).
mémoire à cellules multiniveaux (MCM).	Électronique.	multi-level cell memory (MCM), multilevel cell memory (MCM).
mémoire flash.	Électronique.	flash memory.
mémoire résistive, mémoire vive résistive.	Électronique.	resistive RAM, resistive random access memory (ReRAM, RRAM).
mémoire statique, mémoire vive statique.	Électronique.	static RAM, static random access memory (SRAM).
mémoire vive résistive, mémoire résistive.	Électronique.	resistive RAM, resistive random access memory (ReRAM, RRAM).
mémoire vive statique, mémoire statique.	Électronique.	static RAM, static random access memory (SRAM).
microsystème optoélectromécanique, moems, n.m. (langage professionnel).	Électronique.	micro-opto-electromechanical system (MOEMS).
répartition de l'usure.	Électronique.	wear leveling (EU), wear levelling (GB).

(1) Les termes en caractères gras se trouvent dans la partie I (Termes et définitions).

(2) Il s'agit d'équivalents anglais, sauf mention contraire.